是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP, | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.71 | 风险等级: | 5.02 |
最长访问时间: | 20 ns | 周期时间: | 30 ns |
JESD-30 代码: | R-GDIP-T28 | JESD-609代码: | e3 |
长度: | 37.1475 mm | 内存密度: | 36864 bit |
内存宽度: | 9 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 4096 words |
字数代码: | 4000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 4KX9 | 可输出: | NO |
封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码: | DIP |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 225 |
认证状态: | Not Qualified | 筛选级别: | MIL-STD-883 Class B |
座面最大高度: | 5.08 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | MATTE TIN |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 20 |
宽度: | 7.62 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT7204L20TDGI | IDT |
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CMOS ASYNCHRONOUS FIFO | |
IDT7204L20TP | IDT |
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CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 2048 x 9, 4096 x 9, 8192 x 9 and 16384 x 9 | |
IDT7204L20TPB | IDT |
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CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 2048 x 9, 4096 x 9, 8192 x 9 and 16384 x 9 | |
IDT7204L20TPG | IDT |
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CMOS ASYNCHRONOUS FIFO | |
IDT7204L20TPGB | IDT |
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FIFO, 4KX9, 20ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28, GREEN, PLASTIC, DIP-28 | |
IDT7204L20TPGI | IDT |
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CMOS ASYNCHRONOUS FIFO | |
IDT7204L20XE | IDT |
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FIFO, 4KX9, 20ns, Asynchronous, CMOS, CDFP28, CERPACK-28 | |
IDT7204L25C | IDT |
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FIFO, 4KX9, 25ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28 | |
IDT7204L25D | IDT |
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CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 2048 x 9, 4096 x 9, 8192 x 9 and 16384 x 9 | |
IDT7204L25DB | IDT |
获取价格 |
CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 2048 x 9, 4096 x 9, 8192 x 9 and 16384 x 9 |