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IDT71V67703S80BQGI

更新时间： 2024-02-24 02:16:48
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 计数器静态存储器
页数 文件大小 规格书
23页 976K
描述
Cache SRAM, 256KX36, 8ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, GREEN, FBGA-165

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IDT71V67703S80BQGI 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：QFP包装说明：14 X 20 MM, 1.40 MM, PLASTIC, TQFP-100
针数：100Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：3A991.B.2.AHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.24最长访问时间：8 ns
其他特性：FLOW-THROUGH ARCHITECTURE最大时钟频率 (fCLK)：100 MHz
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PQFP-G100
JESD-609代码：e0长度：20 mm
内存密度：9437184 bit内存集成电路类型：CACHE SRAM
内存宽度：36湿度敏感等级：3
功能数量：1端子数量：100
字数：262144 words字数代码：256000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：256KX36
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：LQFP封装等效代码：QFP100,.63X.87
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：240
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.6 mm最大待机电流：0.07 A
最小待机电流：3.14 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.23 mA最大供电电压 (Vsup)：3.465 V
最小供电电压 (Vsup)：3.135 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式：GULL WING端子节距：0.65 mm
端子位置：QUAD处于峰值回流温度下的最长时间：20
宽度：14 mmBase Number Matches：1

IDT71V67703S80BQGI 数据手册

 浏览型号IDT71V67703S80BQGI的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IDT71V67703S80BQGI的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IDT71V67703S80BQGI的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IDT71V67703S80BQGI的Datasheet PDF文件第9页浏览型号IDT71V67703S80BQGI的Datasheet PDF文件第10页浏览型号IDT71V67703S80BQGI的Datasheet PDF文件第11页 
IDT71V67703, IDT71V67903, 256K x 36, 512K x 18, 3.3V Synchronous SRAMS with  
3.3V I/O, Flow-Through Outputs, Single Cycle Deselect  
Commercial and Industrial Temperature Ranges  
Pin Configuration – 256K x 36, 165 fBGA  
1
2
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8
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A
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BW  
BW  
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(2)  
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DD  
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V
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P1  
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R
NC  
A
A
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A
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A
A
A
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12  
5309tbl 17a  
Pin Configuration – 512K x 18, 165 fBGA  
1
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3
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5
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A
B
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NC  
NC  
NC  
NC  
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A
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A
A
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CE  
BW  
CS  
BWE  
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ADV  
2
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A
6
CS  
NC  
CLK  
A
9
NC  
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BW  
ADSP  
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P1  
V
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I/O  
V
DDQ  
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6
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I/O  
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V
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I/O  
5
G
H
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I/O  
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4
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(1)  
(2)  
V
NC  
NC  
NC  
NC  
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NC  
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V
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V
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ZZ  
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I/O  
V
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NC  
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I/O  
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DDQ  
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0
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(3)  
I/O  
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(3)  
(4)  
(4)  
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A
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DNU  
A
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DNU  
A
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A
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(3)  
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(4)  
R
NC  
A
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A
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DNU  
A
0
DNU  
A
12  
A
13  
A
16  
A
17  
5309 tbl 17b  
NOTES:  
1. H1 does not have to be directly connected to VSS, as long as the input voltage is < VIL.  
2. H11 can be left unconnected and the device will always remain in active mode.  
3. Pin N6, B11, A1, R2 and P2 are reserved for 18M, 36M, 72M, and 144M and 288M respectively.  
4. DNU= Do not use; these signals can either be left unconnected or tied to Vss.  
6.482  
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IDT71V67703S80BQGI 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IDT71V67703S80BQI IDT

功能相似

 256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs,
IDT71V67703S80BQ IDT

功能相似

 256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs,

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IDT71V67703S80BQI IDT

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 		256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs,
IDT71V67703S80PF IDT

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 		256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs,
IDT71V67703S80PF8 IDT

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 		Cache SRAM, 256KX36, 8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM, PLASTIC, TQFP-100
IDT71V67703S80PFI IDT

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 		256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs,
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IDT71V67703S85BG IDT

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IDT71V67703S85BGI IDT

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IDT71V67703S85BQ IDT

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IDT71V67703S85BQI IDT

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 		256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs,
IDT71V67703S85PF IDT

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