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IDT71V67703S80PFI8

更新时间： 2024-02-17 05:52:36

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		时钟静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
20页	174K
描述
Cache SRAM, 256KX36, 8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM, PLASTIC, TQFP-100

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IDT71V67703S80PFI8 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	QFP	包装说明：	14 X 20 MM, 1.40 MM, PLASTIC, TQFP-100
针数：	100	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.24	最长访问时间：	8 ns
其他特性：	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE	最大时钟频率 (fCLK)：	87 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PQFP-G100
JESD-609代码：	e0	长度：	20 mm
内存密度：	9437184 bit	内存集成电路类型：	CACHE SRAM
内存宽度：	36	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	100
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	256KX36
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LQFP	封装等效代码：	QFP100,.63X.87
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	240
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.6 mm	最大待机电流：	0.07 A
最小待机电流：	3.14 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.23 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
宽度：	14 mm	Base Number Matches：	1

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256K X 36, 512K X 18

3.3VSynchronousSRAMs

IDT71V67703

IDT71V67903

3.3V I/O, Burst Counter

Flow-ThroughOutputs,SingleCycleDeselect

Features

◆

3.3V core power supply

Power down controlled by ZZ input

3.3V I/O supply (VDDQ)

Packaged in a JEDEC Standard 100-pin thin plastic quad

flatpack(TQFP),119ballgridarray(BGA)and165finepitchball

grid array (fBGA)

256K x 36, 512K x 18 memory configurations

◆

Supports fast access times:

– 7.5ns up to 117MHz clock frequency

– 8.0ns up to 100MHz clock frequency

– 8.5ns up to 87MHz clock frequency

LBO input selects interleaved or linear burst mode

Self-timedwritecyclewithglobalwritecontrol(GW),bytewrite

◆

Green parts available see ordering information

enable (BWE), and byte writes (BWx)

FunctionalBlockDiagram

LBO

ADV

INTERNAL

ADDRESS

Burst

Sequence

CEN

256K x 36/

CLK

Burst

18/19

512K x 18-

Binary

Counter

Logic

ADSC

A0*

A1*

BIT

MEMORY

ARRAY

CLR

ADSP

CLK EN

A0,A1

A2 - A18

ADDRESS

A0–A

17/18

36/18

18/19

BWE

Byte 1

Write Register

Byte 1

Write Driver

Byte 2

Write Register

Byte 2

Write Driver

BW2

Byte 3

Write Register

Byte 3

Write Driver

Byte 4

Write Register

Byte 4

Write Driver

BW4

Enable

DATA INPUT

CLK EN

Powerdown

OUTPUT

BUFFER

36/18

I/O

–I/O31

I/OP1–I/OP4

5309 drw 01

DECEMBER 2014

DSC-5309/06

12 3 4 5 6 7...20

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IDT71V67703S85BG	IDT	256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs,	获取价格
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