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IDT71V67703S80PFI8

更新时间： 2024-02-04 00:56:54
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 时钟静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
20页 174K
描述
Cache SRAM, 256KX36, 8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM, PLASTIC, TQFP-100

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IDT71V67703S80PFI8 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：QFP包装说明：14 X 20 MM, 1.40 MM, PLASTIC, TQFP-100
针数：100Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：3A991.B.2.AHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.24最长访问时间：8 ns
其他特性：FLOW-THROUGH ARCHITECTURE最大时钟频率 (fCLK)：87 MHz
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PQFP-G100
JESD-609代码：e0长度：20 mm
内存密度：9437184 bit内存集成电路类型：CACHE SRAM
内存宽度：36湿度敏感等级：3
功能数量：1端子数量：100
字数：262144 words字数代码：256000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：256KX36
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：LQFP封装等效代码：QFP100,.63X.87
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：240
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.6 mm最大待机电流：0.07 A
最小待机电流：3.14 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.23 mA最大供电电压 (Vsup)：3.465 V
最小供电电压 (Vsup)：3.135 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式：GULL WING端子节距：0.65 mm
端子位置：QUAD处于峰值回流温度下的最长时间：20
宽度：14 mmBase Number Matches：1

IDT71V67703S80PFI8 数据手册

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IDT71V67703, IDT71V67903, 256K x 36, 512K x 18, 3.3V Synchronous SRAMS with  
3.3V I/O, Flow-Through Outputs, Single Cycle Deselect  
Commercial and Industrial Temperature Ranges  
Pin Configuration – 256K x 36, 119 BGA  
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U
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5309 drw 02c  
Top View  
Pin Configuration – 512K x 18, 119 BGA  
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DD  
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A
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A
A
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DNU(3)  
DDQ  
V
U
DNU(3)  
DNU(3)  
DNU(3)  
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DDQ  
V
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,
Top View  
NOTES:  
1. R5 does not have to be directly connected to VSS as long as the input voltage is < VIL.  
2. T7 can be left unconnected and the device will always remain in active mode.  
3. DNU= Do not use; these signals can either be left unconnected or tied to Vss.  
4. On future 18M devices CS0 will be removed, B2 will be used for address expansion.  
6.42  
7
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与IDT71V67703S80PFI8相关器件

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IDT71V67703S85BG IDT 256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs,

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