是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | BGA |
包装说明: | BGA, | 针数: | 119 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A991.B.2.A |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.18 |
最长访问时间: | 8 ns | 其他特性: | FLOW-THROUGH ARCHITECTURE |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B119 | JESD-609代码: | e1 |
长度: | 22 mm | 内存密度: | 9437184 bit |
内存集成电路类型: | ZBT SRAM | 内存宽度: | 36 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 119 | 字数: | 262144 words |
字数代码: | 256000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 256KX36 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | BGA | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 2.36 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 3.465 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3.135 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | TIN SILVER COPPER |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
宽度: | 14 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT71V65703S80BGI | IDT |
获取价格 |
256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs | |
IDT71V65703S80BQ | IDT |
获取价格 |
256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs | |
IDT71V65703S80BQGI | IDT |
获取价格 |
ZBT SRAM, 256KX36, 8ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, GREEN, FPBGA-165 | |
IDT71V65703S80BQI | IDT |
获取价格 |
256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs | |
IDT71V65703S80PF | IDT |
获取价格 |
256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs | |
IDT71V65703S80PF8 | IDT |
获取价格 |
ZBT SRAM, 256KX36, 8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-136DJ, PLASTIC, TQFP | |
IDT71V65703S80PFG | IDT |
获取价格 |
ZBT SRAM, 256KX36, 8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-136DJ, GREEN, PLASTI | |
IDT71V65703S80PFG8 | IDT |
获取价格 |
ZBT SRAM, 256KX36, 8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-136DJ, GREEN, PLASTI | |
IDT71V65703S80PFI | IDT |
获取价格 |
256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs | |
IDT71V65703S80PFI8 | IDT |
获取价格 |
ZBT SRAM, 256KX36, 8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-136DJ, PLASTIC, TQFP |