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IDT71V416L12PHGI

更新时间： 2024-01-16 22:43:48

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艾迪悌 - IDT		存储内存集成电路静态存储器光电二极管
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9页	91K
描述
3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit)

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IDT71V416L12PHGI 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOJ
包装说明：	0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44	针数：	44
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.41
最长访问时间：	12 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-J44	JESD-609代码：	e0
长度：	28.575 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	16
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	44	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	256KX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOJ
封装等效代码：	SOJ44,.44	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	225	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	3.683 mm
最大待机电流：	0.01 A	最小待机电流：	3 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.17 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn85Pb15)	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	10.16 mm

IDT71V416L12PHGI 数据手册

3.3V CMOS Static RAM

4 Meg (256K x 16-Bit)

IDT71V416S

IDT71V416L

Description

Features

◆

TheIDT71V416isa4,194,304-bithigh-speedStaticRAMorganized

as256Kx16.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliability

CMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinno-

vativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhigh-

speedmemoryneeds.

256K x 16 advanced high-speed CMOS Static RAM

◆

JEDEC Center Power / GND pinout for reduced noise.

Equal access and cycle times

◆

– CommercialandIndustrial:10/12/15ns

One Chip Select plus one Output Enable pin

Bidirectional data inputs and outputs directly

◆

TheIDT71V416has anoutputenablepinwhichoperates as fastas

5ns,withaddressaccesstimesasfastas10ns.Allbidirectionalinputsand

outputsoftheIDT71V416areLVTTL-compatibleandoperationisfroma

single3.3Vsupply.Fullystaticasynchronouscircuitryisused,requiring

noclocks orrefreshforoperation.

The IDT71V416 is packaged in a 44-pin, 400 mil Plastic SOJ and a

44-pin, 400 mil TSOP Type II package and a 48 ball grid array, 9mm x

9mmpackage.

LVTTL-compatible

Low power consumption via chip deselect

Upper and Lower Byte Enable Pins

Single 3.3V power supply

◆

Available in 44-pin, 400 mil plastic SOJ package and a 44-

pin, 400 mil TSOP Type II package and a 48 ball grid array,

9mm x 9mm package.

FunctionalBlockDiagram

Output

Enable

Buffer

Address

Buffers

Row / Column

Decoders

A0 - A17

High

Byte

I/O 15

I/O 8

Output

Chip

Select

Buffer

High

Byte

Write

Sense

Amps

and

Write

Drivers

4,194,304-bit

Memory

Array

Buffer

Write

Enable

Buffer

Low

Byte

I/O 7

I/O 0

Output

Buffer

Low

Byte

Write

Buffer

BHE

BLE

Byte

Enable

Buffers

3624 drw 01

JANUARY 2004

DSC-3624/09

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IDT71V416L12PHI	IDT	获取价格	Standard SRAM, 256KX16, 12ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
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