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IDT71V416L12BEI8

更新时间： 2024-02-01 10:02:41
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 81K
描述
Standard SRAM, 256KX16, 12ns, CMOS, PBGA48, 9 X 9 MM, BGA-48

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IDT71V416L12BEI8 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Active零件包装代码：BGA
包装说明：TFBGA, BGA48,6X8,30针数：48
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.22
Is Samacsys：N最长访问时间：12 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：S-PBGA-B48
JESD-609代码：e0长度：9 mm
内存密度：4194304 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：16湿度敏感等级：4
功能数量：1端子数量：48
字数：262144 words字数代码：256000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：256KX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TFBGA封装等效代码：BGA48,6X8,30
封装形状：SQUARE封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：225
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大待机电流：0.01 A
最小待机电流：3 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.17 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式：BALL端子节距：0.75 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：20
宽度：9 mmBase Number Matches：1

IDT71V416L12BEI8 数据手册

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3.3V CMOS Static RAM  
4 Meg (256K x 16-Bit)  
IDT71V416YS  
IDT71V416YL  
Description  
Features  
◆
TheIDT71V416isa4,194,304-bithigh-speedStaticRAMorganized  
as256Kx16.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliability  
CMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinno-  
vativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhigh-  
speedmemoryneeds.  
256K x 16 advanced high-speed CMOS Static RAM  
◆
JEDEC Center Power / GND pinout for reduced noise.  
Equal access and cycle times  
◆
– CommercialandIndustrial:10/12/15ns  
One Chip Select plus one Output Enable pin  
Bidirectional data inputs and outputs directly  
◆
◆
TheIDT71V416has anoutputenablepinwhichoperates as fastas  
5ns,withaddressaccesstimesasfastas10ns.Allbidirectionalinputsand  
outputsoftheIDT71V416areLVTTL-compatibleandoperationisfroma  
single3.3Vsupply.Fullystaticasynchronouscircuitryisused,requiring  
noclocks orrefreshforoperation.  
The IDT71V416 is packaged in a 44-pin, 400 mil Plastic SOJ and a  
44-pin, 400 mil TSOP Type II package and a 48 ball grid array, 9mm x  
9mmpackage.  
LVTTL-compatible  
Low power consumption via chip deselect  
Upper and Lower Byte Enable Pins  
Single 3.3V power supply  
◆
◆
◆
◆
Available in 44-pin, 400 mil plastic SOJ package and a 44-  
pin, 400 mil TSOP Type II package and a 48 ball grid array,  
9mm x 9mm package.  
FunctionalBlockDiagram  
Output  
Enable  
Buffer  
OE  
Address  
Buffers  
Row / Column  
Decoders  
A0 - A17  
High  
8
8
8
8
Byte  
Output  
Buffer  
I/O 1  
Chip  
CS  
Select  
Buffer  
High  
Byte  
Write  
Buffer  
I/O 8  
Sense  
Amps  
and  
Write  
Drivers  
4,194,304-bit  
Memory  
Array  
16  
Write  
Enable  
Buffer  
Low  
Byte  
8
8
8
8
WE  
I/O 7  
I/O 0  
Output  
Buffer  
Low  
Byte  
Write  
Buffer  
BHE  
BLE  
Byte  
Enable  
Buffers  
6442 drw 01  
JULY 2004  
1
©2004 IntegratedDeviceTechnology,Inc.  
DSC-6442/01  
1234567...9

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IDT71V416L12BEI8 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IDT71V416L12BEI IDT

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 3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit)

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IDT71V416L12PH IDT

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 		Standard SRAM, 256KX16, 12ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
IDT71V416L12PHG IDT

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 		3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit)
IDT71V416L12PHGI IDT

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 		3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit)
IDT71V416L12PHGI8 IDT

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