Datasheet > IDT71V321L55PFGI

IDT71V321L55PFGI

更新时间： 2024-11-04 18:40:27

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
15页	133K
描述
Multi-Port SRAM, 2KX8, 55ns, CMOS, PQFP64

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IDT71V321L55PFGI 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.57	最长访问时间：	55 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	S-PQFP-G64
JESD-609代码：	e3	内存密度：	16384 bit
内存集成电路类型：	MULTI-PORT SRAM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	3	端口数量：	2
端子数量：	64	字数：	2048 words
字数代码：	2000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	2KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	QFP
封装等效代码：	QFP64,.66SQ,32	封装形状：	SQUARE
封装形式：	FLATPACK	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	最大待机电流：	0.004 A
最小待机电流：	2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.085 mA	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
Base Number Matches：	1

IDT71V321L55PFGI 数据手册

IDT71V321S/L

IDT71V421S/L

HIGH SPEED 3.3V

2K X 8 DUAL-PORT

STATIC RAM WITH INTERRUPTS

Features

◆

On-chip port arbitration logic (IDT71V321 only)

High-speed access

◆

BUSY output flag on IDT71V321; BUSY input on IDT71V421

Fully asynchronous operation from either port

Battery backup operation—2V data retention (L only)

TTL-compatible, single 3.3V power supply

Available in 52-pin PLCC, 64-pin TQFP and STQFP

packages

Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available

for selected speeds

Green parts available, see ordering information

– Commercial: 25/35/55ns (max.)

– Industrial: 25ns (max.)

Low-power operation

– IDT71V321/IDT71V421S

— Active: 325mW (typ.)

— Standby: 5mW (typ.)

– IDT71V321/V421L

— Active: 325mW (typ.)

— Standby: 1mW (typ.)

◆

Two INT flags for port-to-port communications

MASTER IDT71V321 easily expands data bus width to 16-

◆

or-more-bits using SLAVE IDT71V421

FunctionalBlockDiagram

R/W

CEL

R/W

I/O0L- I/O7L

I/O0R-I/O7R

I/O

Control

I/O

Control

(1,2)

BUSYR

BUSY

10L

10R

Address

Decoder

MEMORY

ARRAY

Address

Decoder

ARBITRATION

and

INTERRUPT

LOGIC

R/W

(2)

INTR

INT

3026 drw 01

NOTES:

1. IDT71V321 (MASTER): BUSY is an output. IDT71V421 (SLAVE): BUSY is input.

2. BUSY and INT are totem-pole outputs.

AUGUST 2006

DSC-3026/10

12 3 4 5 6 7...15

中文翻译

下载PDF

与IDT71V321L55PFGI相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT71V321L55PFGI8	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 2KX8, 55ns, CMOS, PQFP64
IDT71V321L55PFI	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 3.3V 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT
IDT71V321L55PFI8	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 2KX8, 55ns, CMOS, PQFP64
IDT71V321L55TF	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 3.3V 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT
IDT71V321L55TF8	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 2KX8, 55ns, CMOS, PQFP64, STQFP-64
IDT71V321L55TF9	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 2KX8, 55ns, CMOS, PQFP64, STQFP-64
IDT71V321L55TFG	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 2KX8, 55ns, CMOS, PQFP64, 10 X 10 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, STQFP-64
IDT71V321L55TFG8	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 2KX8, 55ns, CMOS, PQFP64
IDT71V321L55TFGI	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 2KX8, 55ns, CMOS, PQFP64
IDT71V321L55TFI	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 3.3V 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT

与IDT71V321L55PFGI相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

13
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

7
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

34
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

30

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IDT71V321L55PFGI

IDT71V321L55PFGI 技术参数

IDT71V321L55PFGI 数据手册

与IDT71V321L55PFGI相关器件

与IDT71V321L55PFGI相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IDT71V321L55PFGI

IDT71V321L55PFGI 技术参数

IDT71V321L55PFGI 数据手册

与IDT71V321L55PFGI相关器件

与IDT71V321L55PFGI相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？