是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
Reach Compliance Code: | not_compliant | 风险等级: | 5.92 |
最长访问时间: | 3.2 ns | 最大时钟频率 (fCLK): | 200 MHz |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PBGA-B119 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 4718592 bit |
内存集成电路类型: | ZBT SRAM | 内存宽度: | 18 |
湿度敏感等级: | 3 | 端子数量: | 119 |
字数: | 262144 words | 字数代码: | 256000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 256KX18 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | BGA | 封装等效代码: | BGA119,7X17,50 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 2.5,3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 最大待机电流: | 0.04 A |
最小待机电流: | 3.14 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.4 mA | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn63Pb37) | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | BOTTOM |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT71V2558SA200BGI | IDT |
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128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs | |
IDT71V2558SA200BQ | IDT |
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128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs | |
IDT71V2558SA200BQI | IDT |
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128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs | |
IDT71V2558SA200PF | IDT |
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128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs | |
IDT71V2558SA200PFI | IDT |
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128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs | |
IDT71V2558SX100PFI | IDT |
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ZBT SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, MO-136DJ, TQFP | |
IDT71V2558SX133PF | IDT |
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ZBT SRAM, 128KX36, 4.2ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, MO-136DJ, TQ | |
IDT71V2558SX133PFI | IDT |
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ZBT SRAM, 128KX36, 4.2ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, MO-136DJ, TQ | |
IDT71V2558SX166PF | IDT |
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ZBT SRAM, 128KX36, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, MO-136DJ, TQ | |
IDT71V2558XS100BG | IDT |
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ZBT SRAM, 256KX18, 5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, MS-028AA, BGA-119 |