是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | BGA |
包装说明: | BGA, | 针数: | 119 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A991.B.2.A |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.92 |
最长访问时间: | 4.2 ns | 其他特性: | PIPELINED ARCHITECTURE |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B119 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 22 mm | 内存密度: | 4718592 bit |
内存集成电路类型: | ZBT SRAM | 内存宽度: | 18 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 119 | 字数: | 262144 words |
字数代码: | 256000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 256KX18 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | BGA | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 225 | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 2.36 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 3.465 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3.135 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 20 |
宽度: | 14 mm |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT71V2558XSA133BQ | IDT |
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ZBT SRAM, 256KX18, 4.2ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, FBGA-165 | |
IDT71V2558XSA133BQI | IDT |
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ZBT SRAM, 256KX18, 4.2ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, FBGA-165 | |
IDT71V2558XSA166BG | IDT |
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ZBT SRAM, 256KX18, 3.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, MS-028AA, BGA-119 | |
IDT71V2558XSA166BGI | IDT |
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ZBT SRAM, 256KX18, 3.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, MS-028AA, BGA-119 | |
IDT71V2558XSA166BQ | IDT |
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ZBT SRAM, 256KX18, 3.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, FBGA-165 | |
IDT71V2558XSA166BQI | IDT |
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ZBT SRAM, 256KX18, 3.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, FBGA-165 | |
IDT71V2558XSA200BG | IDT |
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ZBT SRAM, 256KX18, 3.2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, MS-028AA, BGA-119 | |
IDT71V2558XSA200BQ | IDT |
获取价格 |
ZBT SRAM, 256KX18, 3.2ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, FBGA-165 | |
IDT71V2559S75BG | ETC |
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SYNC SRAM|256KX18|CMOS|BGA|119PIN|PLASTIC | |
IDT71V2559S75BG8 | IDT |
获取价格 |
ZBT SRAM, 256KX18, 7.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119 |