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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SOJ |
| 包装说明： | SOJ, SOJ44,.44 | 针数： | 44 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.27 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 20 ns |
| 其他特性： | ALSO OPERATES WITH 3V TO 3.6 V SUPPLY | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-J44 | JESD-609代码： | e3 |
| 长度： | 28.575 mm | 内存密度： | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 16 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 44 |
| 字数： | 65536 words | 字数代码： | 64000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 64KX16 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | YES |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOJ |
| 封装等效代码： | SOJ44,.44 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 3.683 mm |
| 最大待机电流： | 0.01 A | 最小待机电流： | 3 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.12 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3.15 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed | 端子形式： | J BEND |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 宽度： | 10.16 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT71V016SA20YI | IDT |
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Standard SRAM, 64KX16, 20ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44 |
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| IDT71V016SA20YI8 | IDT |
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3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit) |
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| IDT71V016SA20YIG8 | IDT |
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Standard SRAM, 64KX16, 20ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOJ-44 |
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| IDT71V024L100PH | ETC |
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x8 SRAM |
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| IDT71V024L100PHI | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
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| IDT71V024L70PH | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
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| IDT71V024L70PHI | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
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| IDT71V124 | IDT |
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3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Revolutionary Pinout |
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| IDT71V124HSA10PHGI | IDT |
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Standard SRAM, 128KX8, 10ns, CMOS, PDSO32, ROHS COMPLIANT, TSOP2-32 |
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| IDT71V124HSA10PHSAGI | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 10ns, CMOS, PDSO32, ROHS COMPLIANT, TSOP2-32 |
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