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IDT71681SA85DB

更新时间: 2024-02-12 04:43:14
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
8页 273K
描述
x4 SRAM

IDT71681SA85DB 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:QLCC包装说明:LCC-28
针数:28Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:3A001.A.2.CHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.86最长访问时间:85 ns
I/O 类型:SEPARATEJESD-30 代码:S-CQCC-N28
JESD-609代码:e0长度:11.4554 mm
内存密度:16384 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:4功能数量:1
端口数量:1端子数量:28
字数:4096 words字数代码:4000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:4KX4
输出特性:3-STATE可输出:NO
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码:QCCN
封装等效代码:LCC28,.45SQ封装形状:SQUARE
封装形式:CHIP CARRIER并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
筛选级别:38535Q/M;38534H;883B座面最大高度:2.54 mm
子类别:SRAMs最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:NO LEAD端子节距:1.27 mm
端子位置:QUAD宽度:11.4554 mm
Base Number Matches:1

IDT71681SA85DB 数据手册

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