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IDT71682LA10Y8

更新时间: 2024-11-16 05:48:39
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艾迪悌 - IDT 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 281K
描述
Standard SRAM, 4KX4, 10ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24

IDT71682LA10Y8 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SOJ
包装说明:SOJ,针数:24
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.84
最长访问时间:10 nsJESD-30 代码:R-PDSO-J24
JESD-609代码:e0长度:15.88 mm
内存密度:16384 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:4功能数量:1
端口数量:1端子数量:24
字数:4096 words字数代码:4000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:4KX4
输出特性:3-STATE可输出:NO
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOJ
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.76 mm最小待机电流:2 V
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:TIN LEAD端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
宽度:7.62 mm

IDT71682LA10Y8 数据手册

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