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IDT71681SA35E

更新时间: 2024-11-15 13:44:23
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 284K
描述
Standard SRAM, 4KX4, 35ns, CMOS, CDFP24, 0.300 INCH, CERPACK-24

IDT71681SA35E 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DFP
包装说明:0.300 INCH, CERPACK-24针数:24
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.89
Is Samacsys:N最长访问时间:35 ns
I/O 类型:SEPARATEJESD-30 代码:R-GDFP-F24
JESD-609代码:e0长度:15.748 mm
内存密度:16384 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:4功能数量:1
端口数量:1端子数量:24
字数:4096 words字数代码:4000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:4KX4
输出特性:3-STATE可输出:NO
封装主体材料:CERAMIC, GLASS-SEALED封装代码:DFP
封装等效代码:FL24,.4封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLATPACK并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:2.286 mm
最大待机电流:0.002 A最小待机电流:4.5 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.1 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:FLAT
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:9.144 mm
Base Number Matches:1

IDT71681SA35E 数据手册

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