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IDT71681SA35F

更新时间： 2024-11-16 05:08:07

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
11页	737K
描述
Standard SRAM, 4KX4, 35ns, CMOS, CDFP24, FP-24

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IDT71681SA35F 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DFP
包装说明：	FP-24	针数：	24
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.89
最长访问时间：	35 ns	I/O 类型：	SEPARATE
JESD-30 代码：	R-CDFP-F24	JESD-609代码：	e0
内存密度：	16384 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	4	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	24
字数：	4096 words	字数代码：	4000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	4KX4
输出特性：	3-STATE	可输出：	NO
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	DFP
封装等效代码：	FL24,.4	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	2.286 mm
最大待机电流：	0.002 A	最小待机电流：	4.5 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.1 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	FLAT
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	9.9 mm
Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...11

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT71681SA35FB	IDT	获取价格	Standard SRAM, 4KX4, 35ns, CMOS, CDFP24, FP-24
IDT71681SA35L	IDT	获取价格	Standard SRAM, 4KX4, 35ns, CMOS, CQCC28, LCC-28
IDT71681SA35L8	IDT	获取价格	Standard SRAM, 4KX4, 35ns, CMOS, CQCC28, LCC-28
IDT71681SA35LB	ETC	获取价格	x4 SRAM
IDT71681SA35LB8	IDT	获取价格	Standard SRAM, 4KX4, 35ns, CMOS, CQCC28, LCC-28
IDT71681SA35LC	IDT	获取价格	Standard SRAM, 4KX4, 35ns, CMOS, CQCC28
IDT71681SA35LI	IDT	获取价格	Standard SRAM, 4KX4, 35ns, CMOS, CQCC28
IDT71681SA35P	ETC	获取价格	x4 SRAM
IDT71681SA35SO	IDT	获取价格	Standard SRAM, 4KX4, 35ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOIC-24
IDT71681SA35SO8	IDT	获取价格	Standard SRAM, 4KX4, 35ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOIC-24