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IDT71681LA35SO

更新时间: 2024-11-15 20:59:19
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艾迪悌 - IDT 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 281K
描述
Standard SRAM, 4KX4, 35ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOIC-24

IDT71681LA35SO 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOIC包装说明:0.300 INCH, SOIC-24
针数:24Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.89Is Samacsys:N
最长访问时间:35 nsI/O 类型:SEPARATE
JESD-30 代码:R-PDSO-G24JESD-609代码:e0
长度:15.4 mm内存密度:16384 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:4
湿度敏感等级:1功能数量:1
端口数量:1端子数量:24
字数:4096 words字数代码:4000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:4KX4
输出特性:3-STATE可输出:NO
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装等效代码:SOP24,.4封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:2.65 mm最大待机电流:0.00002 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.08 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL宽度:7.5 mm
Base Number Matches:1

IDT71681LA35SO 数据手册

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