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IDT71681LA35SO8

更新时间: 2024-11-15 20:59:19
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 281K
描述
Standard SRAM, 4KX4, 35ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOIC-24

IDT71681LA35SO8 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SOIC
包装说明:SOP,针数:24
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.89
最长访问时间:35 nsJESD-30 代码:R-PDSO-G24
JESD-609代码:e0长度:15.4 mm
内存密度:16384 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:4功能数量:1
端口数量:1端子数量:24
字数:4096 words字数代码:4000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:4KX4
输出特性:3-STATE可输出:NO
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):225
认证状态:Not Qualified座面最大高度:2.65 mm
最小待机电流:2 V最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:TIN LEAD
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
宽度:7.5 mmBase Number Matches:1

IDT71681LA35SO8 数据手册

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