是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP, | 针数: | 24 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.89 |
最长访问时间: | 70 ns | JESD-30 代码: | R-GDIP-T24 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 32.004 mm |
内存密度: | 16384 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 4 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 24 | 字数: | 4096 words |
字数代码: | 4000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 4KX4 | 封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED |
封装代码: | DIP | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 225 | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 5.08 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 20 |
宽度: | 7.62 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT71681L70L | IDT |
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Standard SRAM, 4KX4, 70ns, CMOS, CQCC28 | |
IDT71681L70LI | IDT |
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Standard SRAM, 4KX4, 70ns, CMOS, CQCC28 | |
IDT71681LA100DB | ETC |
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x4 SRAM | |
IDT71681LA100EB | ETC |
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x4 SRAM | |
IDT71681LA100LB | ETC |
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x4 SRAM | |
IDT71681LA100LB8 | IDT |
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Standard SRAM, 4KX4, 100ns, CMOS, CQCC28, LCC-28 | |
IDT71681LA10E | IDT |
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Standard SRAM, 4KX4, 10ns, CMOS, CDFP24, 0.300 INCH, CERPACK-24 | |
IDT71681LA10Y | IDT |
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Standard SRAM, 4KX4, 10ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24 | |
IDT71681LA10Y8 | IDT |
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Standard SRAM, 4KX4, 10ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24 | |
IDT71681LA12D | IDT |
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Standard SRAM, 4KX4, 12ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, CERDIP-24 |