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IDT71681LA100LB8

更新时间: 2024-11-14 19:46:35
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 272K
描述
Standard SRAM, 4KX4, 100ns, CMOS, CQCC28, LCC-28

IDT71681LA100LB8 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:QLCC
包装说明:QCCN,针数:28
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.89
Is Samacsys:N最长访问时间:100 ns
JESD-30 代码:S-CQCC-N28JESD-609代码:e0
长度:11.4554 mm内存密度:16384 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:4
功能数量:1端口数量:1
端子数量:28字数:4096 words
字数代码:4000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:4KX4输出特性:3-STATE
可输出:NO封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码:QCCN封装形状:SQUARE
封装形式:CHIP CARRIER并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):225认证状态:Not Qualified
座面最大高度:2.54 mm最小待机电流:2 V
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:TIN LEAD端子形式:NO LEAD
端子节距:1.27 mm端子位置:QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间:30宽度:11.4554 mm
Base Number Matches:1

IDT71681LA100LB8 数据手册

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