是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | QFJ |
包装说明: | LCC-32 | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.92 |
最长访问时间: | 30 ns | JESD-30 代码: | R-CQCC-N32 |
长度: | 13.97 mm | 内存密度: | 65536 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | 1 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 8192 words | 字数代码: | 8000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 8KX8 | |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | YES |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码: | QCCN |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | CHIP CARRIER |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 225 |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 3.048 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | NO LEAD | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 11.43 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT7165S30L328 | IDT |
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Standard SRAM, 8KX8, 30ns, CMOS, CQCC32, LCC-32 | |
IDT7165S30LB | ETC |
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x8 SRAM | |
IDT7165S30P | IDT |
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Standard SRAM, 8KX8, 30ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 | |
IDT7165S30PE | ETC |
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x8 SRAM | |
IDT7165S30PE8 | IDT |
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Standard SRAM, 8KX8, 30ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOIC-28 | |
IDT7165S30SO | IDT |
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Standard SRAM, 8KX8, 30ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOIC-28 | |
IDT7165S30T | IDT |
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Standard SRAM, 8KX8, 30ns, CMOS, CDIP28 | |
IDT7165S30TC | IDT |
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Standard SRAM, 8KX8, 30ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, THIN, SIDE BRAZED, DIP-28 | |
IDT7165S30TCB | IDT |
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Standard SRAM, 8KX8, 30ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, THIN, SIDE BRAZED, DIP-28 | |
IDT7165S30TP | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 30ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28 |