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IDT7165S30TCB

更新时间： 2024-11-14 20:02:27

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	241K
描述
Standard SRAM, 8KX8, 30ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, THIN, SIDE BRAZED, DIP-28

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IDT7165S30TCB 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	0.300 INCH, THIN, SIDE BRAZED, DIP-28	针数：	28
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.92
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	30 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-CDIP-T28
JESD-609代码：	e0	长度：	35.56 mm
内存密度：	65536 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	28
字数：	8192 words	字数代码：	8000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	8KX8
输出特性：	3-STATE	可输出：	YES
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP28,.3	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度：	5.08 mm	最大待机电流：	0.02 A
最小待机电流：	4.5 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.17 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	7.62 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT7165S30TP	IDT	获取价格	Standard SRAM, 8KX8, 30ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28
IDT7165S30Y	ETC	获取价格	x8 SRAM
IDT7165S35D	IDT	获取价格	Standard SRAM, 8KX8, 35ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28
IDT7165S35DB	IDT	获取价格	Standard SRAM, 8KX8, 35ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28
IDT7165S35J	IDT	获取价格	Standard SRAM, 8KX8, 35ns, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
IDT7165S35J8	IDT	获取价格	Standard SRAM, 8KX8, 35ns, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
IDT7165S35L32	IDT	获取价格	Standard SRAM, 8KX8, 35ns, CMOS, CQCC32, LCC-32
IDT7165S35L328	IDT	获取价格	Standard SRAM, 8KX8, 35ns, CMOS, CQCC32, LCC-32
IDT7165S35LB	IDT	获取价格	Standard SRAM, 8KX8, 35ns, CMOS, CQCC32, LCC-32
IDT7165S35P	IDT	获取价格	Standard SRAM, 8KX8, 35ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28