是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | 0.300 INCH, THIN, PLASTIC, DIP-28 |
针数: | 28 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.69 | 最长访问时间: | 45 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDIP-T28 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 34.3535 mm |
内存密度: | 65536 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 28 |
字数: | 8192 words | 字数代码: | 8000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 8KX8 | |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | YES |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP28,.3 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 4.318 mm | 最大待机电流: | 0.00006 A |
最小待机电流: | 2 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.12 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn85Pb15) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 宽度: | 7.62 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT7164L45TPB | IDT |
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CMOS STATIC RAM 64K (8K x 8-BIT) | |
IDT7164L45Y | IDT |
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CMOS STATIC RAM 64K (8K x 8-BIT) | |
IDT7164L45YB | IDT |
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CMOS STATIC RAM 64K (8K x 8-BIT) | |
IDT7164L55D | IDT |
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CMOS STATIC RAM 64K (8K x 8-BIT) | |
IDT7164L55DB | IDT |
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CMOS STATIC RAM 64K (8K x 8-BIT) | |
IDT7164L55DI | IDT |
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Standard SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, CDIP28 | |
IDT7164L55EB | IDT |
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Standard SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, CDFP28, CERPACK-28 | |
IDT7164L55L | IDT |
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Standard SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, CQCC32 | |
IDT7164L55L28B | IDT |
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Standard SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, CQCC28, LCC-28 | |
IDT7164L55L28B8 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, CQCC28, LCC-28 |