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IDT7140LA25TFG8

更新时间： 2024-11-16 14:42:43

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
14页	451K
描述
Multi-Port SRAM, 1KX8, 25ns, CMOS, PQFP64, STQFP-64

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IDT7140LA25TFG8 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	QFP
包装说明：	LFQFP, QFP64,.47SQ,20	针数：	64
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.02
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	25 ns
其他特性：	INTERRUPT FLAG	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	S-PQFP-G64	JESD-609代码：	e3
长度：	10 mm	内存密度：	8192 bit
内存集成电路类型：	MULTI-PORT SRAM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端口数量：	2	端子数量：	64
字数：	1024 words	字数代码：	1000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	1KX8
输出特性：	3-STATE	可输出：	YES
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LFQFP
封装等效代码：	QFP64,.47SQ,20	封装形状：	SQUARE
封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.6 mm
最大待机电流：	0.0015 A	最小待机电流：	2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.17 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	10 mm
Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...14

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT7140LA25TFGB	IDT	获取价格	HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM
IDT7140LA25TFGB8	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 1KX8, 25ns, CMOS, PQFP64
IDT7140LA25TFGI	IDT	获取价格	HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM
IDT7140LA25TFGI8	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 1KX8, 25ns, CMOS, PQFP64
IDT7140LA25TFI	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 1KX8, 25ns, CMOS, PQFP64, STQFP-64
IDT7140LA25TFI8	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 1KX8, 25ns, CMOS, PQFP64
IDT7140LA30F	ETC	获取价格	x8 Dual-Port SRAM
IDT7140LA30FB	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 1KX8, 30ns, CMOS, CQFP48, QFP-48
IDT7140LA30J	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 1KX8, 30ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52
IDT7140LA30J8	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 1KX8, 30ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52