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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.71 | 最长访问时间： | 35 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-XDIP-T48 |
| JESD-609代码： | e3 | 内存密度： | 8192 bit |
| 内存集成电路类型： | MULTI-PORT SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 端口数量： | 2 | 端子数量： | 48 |
| 字数： | 1024 words | 字数代码： | 1000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 1KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | CERAMIC |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP48,.6 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 筛选级别： | 38535Q/M;38534H;883B | 最大待机电流： | 0.004 A |
| 最小待机电流： | 2 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.17 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT7140LA35CGI | IDT |
获取价格 |
HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM |
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| IDT7140LA35F | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 1K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
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| IDT7140LA35F8 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX8, 35ns, CMOS, CQFP48 |
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| IDT7140LA35FB | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 1K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
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| IDT7140LA35FB8 | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 1KX8, 35ns, CMOS, CQFP48 |
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| IDT7140LA35FG | IDT |
获取价格 |
HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM |
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| IDT7140LA35FG8 | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 1KX8, 35ns, CMOS, CQFP48 |
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| IDT7140LA35FGB | IDT |
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HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM |
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| IDT7140LA35FGB8 | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 1KX8, 35ns, CMOS, CQFP48 |
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| IDT7140LA35FGI | IDT |
获取价格 |
HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM |
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