是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | DIP, DIP48,.6 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.41 |
最长访问时间: | 25 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDIP-T48 | JESD-609代码: | e3 |
内存密度: | 8192 bit | 内存集成电路类型: | MULTI-PORT SRAM |
内存宽度: | 8 | 端口数量: | 2 |
端子数量: | 48 | 字数: | 1024 words |
字数代码: | 1000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 1KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP48,.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 筛选级别: | 38535Q/M;38534H;883B |
最大待机电流: | 0.004 A | 最小待机电流: | 2 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.22 mA |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | MATTE TIN | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT7140LA25PDGI | IDT |
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Dual-Port SRAM, 1KX8, 25ns, CMOS, PDIP48, 0.550 X 0.610 INCH, 0.190 INCH HEIGHT, GREEN, PL | |
IDT7140LA25PF | IDT |
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HIGH-SPEED 1K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT7140LA25PF9 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 1KX8, 25ns, CMOS, PQFP64, TQFP-64 | |
IDT7140LA25PFB | IDT |
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HIGH-SPEED 1K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT7140LA25PFB8 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX8, 25ns, CMOS, PQFP64 | |
IDT7140LA25PFG | IDT |
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HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM | |
IDT7140LA25PFGB | IDT |
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HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM | |
IDT7140LA25PFGI | IDT |
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HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM | |
IDT7140LA25PFGI8 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 1KX8, 25ns, CMOS, PQFP64, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-64 | |
IDT7140LA25PFI | IDT |
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Dual-Port SRAM, 1KX8, 25ns, CMOS, PQFP64, TQFP-64 |