是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | LCC |
包装说明: | PLASTIC, LCC-52 | 针数: | 52 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.66 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 55 ns |
其他特性: | BATTERY BACK-UP OPERATION | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | S-PQCC-J52 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 19.1262 mm | 内存密度: | 32768 bit |
内存集成电路类型: | DUAL-PORT SRAM | 内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 2 | 端子数量: | 52 |
字数: | 4096 words | 字数代码: | 4000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 4KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | QCCJ | 封装等效代码: | LDCC52,.8SQ |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | CHIP CARRIER |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 225 |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 4.57 mm | 最大待机电流: | 0.03 A |
最小待机电流: | 4.5 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.27 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn85Pb15) |
端子形式: | J BEND | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
宽度: | 19.1262 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT7134SA55L | IDT |
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Dual-Port SRAM, 4KX8, 55ns, CMOS, CQCC48, LCC-48 | |
IDT7134SA55L48 | IDT |
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HIGH-SPEED 4K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT7134SA55L488 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 4KX8, 55ns, CMOS, CQCC48 | |
IDT7134SA55L48B | IDT |
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HIGH-SPEED 4K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT7134SA55L48BG | IDT |
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Dual-Port SRAM, 4KX8, 55ns, CQCC48, LCC-48 | |
IDT7134SA55L48G | IDT |
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暂无描述 | |
IDT7134SA55L48G8 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 4KX8, 55ns, CMOS, CQCC48 | |
IDT7134SA55L48GB8 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 4KX8, 55ns, CMOS, CQCC48 | |
IDT7134SA55L48GI | IDT |
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Dual-Port SRAM, 4KX8, 55ns, CMOS, CQCC48, 0.570 X 0.570 INCH, 0.680 INCH HEIGHT, GREEN, MS | |
IDT7134SA55L48GI8 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 4KX8, 55ns, CMOS, CQCC48 |