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IDT7133LA35JB

更新时间： 2024-11-28 23:01:11
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 存储内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
16页 141K
描述
HIGH-SPEED 2K x 16 CMOS DUAL-PORT STATIC RAMS

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IDT7133LA35JB 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：LCC包装说明：PLASTIC, LCC-68
针数：68Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：3A001.A.2.CHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.09Is Samacsys：N
最长访问时间：35 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：S-PQCC-J68JESD-609代码：e0
长度：24.2062 mm内存密度：32768 bit
内存集成电路类型：DUAL-PORT SRAM内存宽度：16
湿度敏感等级：1功能数量：1
端口数量：2端子数量：68
字数：2048 words字数代码：2000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C组织：2KX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：QCCJ封装等效代码：LDCC68,1.0SQ
封装形状：SQUARE封装形式：CHIP CARRIER
并行/串行：PARALLEL电源：5 V
认证状态：Not Qualified筛选级别：MIL-PRF-38535
座面最大高度：4.572 mm最大待机电流：0.004 A
最小待机电流：2 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.295 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：MILITARY端子面层：Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式：J BEND端子节距：1.27 mm
端子位置：QUAD宽度：24.2062 mm
Base Number Matches：1

IDT7133LA35JB 数据手册

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IDT7133SA/LA  
IDT7143SA/LA  
HIGH SPEED  
2K X 16 DUAL-PORT  
SRAM  
Features  
◆
◆
High-speed access  
BUSY output flag on IDT7133; BUSY input on IDT7143  
Fully asynchronous operation from either port  
◆
◆
◆
◆
–
–
–
Military:25/35/45/55/70/90ns(max.)  
Industrial:25/35/55ns(max.)  
Commercial:20/25/35/45/55/70/90ns(max.)  
Battery backup operation–2V data retention  
TTL-compatible; single 5V (±10%) power supply  
Available in 68-pin ceramic PGA, Flatpack, PLCC and 100-  
pin TQFP  
Military product compliant to MIL-PRF-38535 QML  
Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available  
for selected speeds  
◆
Low-power operation  
–
IDT7133/43SA  
◆
◆
Active:1150mW(typ.)  
Standby: 5mW (typ.)  
IDT7133/43LA  
–
Active:1050mW(typ.)  
Standby: 1mW (typ.)  
Versatile control for write: separate write control for lower  
and upper byte of each port  
MASTER IDT7133 easily expands data bus width to 32 bits  
or more using SLAVE IDT7143  
On-chip port arbitration logic (IDT7133 only)  
Description  
◆
◆
◆
The IDT7133/7143 are high-speed 2K x 16 Dual-Port Static RAMs.  
The IDT7133is designedtobe usedas a stand-alone 16-bitDual-Port  
RAM or as a “MASTER” Dual-Port RAM together with the IDT7143  
“SLAVE” Dual-Port in 32-bit-or-more word width systems. Using the  
IDT MASTER/SLAVE Dual-Port RAM approach in 32-bit-or-wider  
Functional Block Diagram  
R/WRUB  
CER  
R/WLUB  
CEL  
R/WLLB  
OEL  
R/WRLB  
OER  
I/O8R - I/O15R  
I/O0R - I/O7R  
I/O8L - I/O15L  
I/O0L - I/O7L  
I/O  
CONTROL  
I/O  
CONTROL  
(1)  
(1)  
BUSYR  
BUSYL  
A10R  
A10L  
MEMORY  
ARRAY  
ADDRESS  
DECODER  
ADDRESS  
DECODER  
A0L  
A0R  
11  
11  
ARBITRATION  
LOGIC  
CER  
CEL  
(IDT7133 ONLY)  
2746 drw 01  
NOTE:  
1. IDT7133 (MASTER): BUSY is open drain output and requires pull-up resistor.  
IDT7143 (SLAVE): BUSY is input.  
JUNE 2000  
1
DSC 2746/11  
©2000IntegratedDeviceTechnology,Inc.  
1234567...16

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与IDT7133LA35JB相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IDT7133LA35JGI IDT

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