是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | SOJ | 包装说明: | 0.300 INCH, SOJ-28 |
针数: | 28 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.67 | 最长访问时间: | 35 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDSO-J28 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 17.9324 mm |
内存密度: | 262144 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 32768 words |
字数代码: | 32000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 32KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | YES | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOJ | 封装等效代码: | SOJ28,.34 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 3.556 mm |
最大待机电流: | 0.015 A | 最小待机电流: | 4.5 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.155 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn85Pb15) | 端子形式: | J BEND |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
宽度: | 7.5184 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT71256S35YB | IDT |
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CMOS STATIC RAM 256K (32K x 8-BIT) | |
IDT71256S35YG8 | IDT |
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Standard SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28 | |
IDT71256S45D | IDT |
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CMOS STATIC RAM 256K (32K x 8-BIT) | |
IDT71256S45DB | IDT |
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CMOS STATIC RAM 256K (32K x 8-BIT) | |
IDT71256S45DM | IDT |
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Standard SRAM, 32KX8, 45ns, CMOS, CDIP28 | |
IDT71256S45E | IDT |
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Standard SRAM, 32KX8, 45ns, CMOS, CDFP28, CERPACK-28 | |
IDT71256S45EB | IDT |
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Standard SRAM, 32KX8, 45ns, CMOS, CDFP28, CERPACK-28 | |
IDT71256S45J | ETC |
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x8 SRAM | |
IDT71256S45JG8 | IDT |
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Standard SRAM, 32KX8, 45ns, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
IDT71256S45L | IDT |
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CMOS STATIC RAM 256K (32K x 8-BIT) |