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IDT71256S35YG8

更新时间: 2024-11-23 20:43:19
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 253K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28

IDT71256S35YG8 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SOJ
包装说明:0.300 INCH, SOJ-28针数:28
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.66
Is Samacsys:N最长访问时间:35 ns
JESD-30 代码:R-PDSO-J28JESD-609代码:e3
长度:17.9324 mm内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:28字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:32KX8输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOJ封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):260认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.556 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:MATTE TIN
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
宽度:7.5184 mmBase Number Matches:1

IDT71256S35YG8 数据手册

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