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IDT70V7589S133BCG

更新时间： 2024-11-26 09:14:35

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
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22页	241K
描述
Dual-Port SRAM, 64KX36, 15ns, PBGA256, BGA-256

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IDT70V7589S133BCG 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	BGA-256	针数：	256
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.84
最长访问时间：	15 ns	其他特性：	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码：	S-PBGA-B256	JESD-609代码：	e1
长度：	17 mm	内存密度：	2359296 bit
内存集成电路类型：	DUAL-PORT SRAM	内存宽度：	36
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	256	字数：	65536 words
字数代码：	64000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	64KX36	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LBGA	封装形状：	SQUARE
封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.7 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.45 V
最小供电电压 (Vsup)：	3.15 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	TIN SILVER COPPER
端子形式：	BALL	端子节距：	1 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	17 mm	Base Number Matches：	1

IDT70V7589S133BCG 数据手册

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HIGH-SPEED 3.3V 64K x 36

SYNCHRONOUS

IDT70V7589S

BANK-SWITCHABLE

DUAL-PORT STATIC RAM

WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE

Features:

– 1.5ns setup to clock and 0.5ns hold on all control, data, and

address inputs @ 200MHz

– Data input, address, byte enable and control registers

– Self-timedwriteallowsfastcycletime

Separate byte controls for multiplexed bus and bus

matching compatibility

LVTTL- compatible, 3.3V (±150mV) power supply

for core

LVTTL compatible, selectable 3.3V (±150mV) or 2.5V

(±100mV) power supply for I/Os and control signals on

each port

Industrial temperature range (-40°C to +85°C) is

available at 166MHz and 133MHz

Available in a 208-pin Plastic Quad Flatpack (PQFP),

208-pin fine pitch Ball Grid Array (fpBGA), and 256-pin Ball

GridArray(BGA)

◆

64K x 36 Synchronous Bank-Switchable Dual-ported SRAM

Architecture

– 64 independent 1K x 36 banks

– 2 megabits of memory on chip

Bank access controlled via bank address pins

◆

High-speed data access

– Commercial:3.4ns (200MHz)/3.6ns (166MHz)/

4.2ns (133MHz) (max.)

– Industrial: 3.6ns (166MHz)/4.2ns (133MHz) (max.)

Selectable Pipelined or Flow-Through output mode

Counter enable and repeat features

Dual chip enables allow for depth expansion without

◆

additional logic

Full synchronous operation on both ports

◆

– 5ns cycle time, 200MHzoperation(14Gbps bandwidth)

– Fast 3.4ns clock to data out

◆

Supports JTAG features compliant with IEEE 1149.1

FunctionalBlockDiagram

PL/FT

OPT

CLK

ADS

CNTEN

REPEAT

R/W

CE0R

CE1R

BE3R

BE2R

BE1R

BE0R

OPT

CLK

ADS

CNTEN

REPEAT

R/W

MUX

CE0L

CE1L

BE3L

BE2L

BE1L

BE0L

CONTROL

LOGIC

CONTROL

LOGIC

1Kx36

MEMORY

ARRAY

(BANK 0)

OER

MUX

I/O

CONTROL

I/O

CONTROL

I/O0L-35L

I/O0R-35R

1Kx36

MEMORY

ARRAY

(BANK 1)

ADDRESS

DECODE

ADDRESS

DECODE

A0L

MUX

BA5R

BA4R

BA3R

BA2R

BA1R

BA0R

BA5L

BA4L

BA3L

BA2L

BA1L

BA0L

BANK

DECODE

BANK

DECODE

MUX

1Kx36

MEMORY

ARRAY

(BANK 63)

NOTE:

MUX

1. The Bank-Switchable dual-port uses a true SRAM

core instead of the traditional dual-port SRAM core.

As a result, it has unique operating characteristics.

Please refer to the functional description on page 19

for details.

5627 drw 01

TMS

TCK

TRST

TDI

TDO

JTAG

JANUARY 2004

DSC 5627/5

12 3 4 5 6 7...22

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT70V7589S133BCG8	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 64KX36, 15ns, PBGA256, BGA-256
IDT70V7589S133BCGI	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 64KX36, 15ns, PBGA256, BGA-256
IDT70V7589S133BCGI8	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 64KX36, 15ns, PBGA256, BGA-256
IDT70V7589S133BCI8	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 64KX36, 15ns, CMOS, PBGA256, BGA-256
IDT70V7589S133BFG8	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 64KX36, 15ns, PBGA208, FBGA-208
IDT70V7589S133BFGI8	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 64KX36, 15ns, PBGA208, FBGA-208
IDT70V7589S133DRG	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 64KX36, 15ns, PQFP208, PLASTIC, QFP-208
IDT70V7589S133DRGI	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 64KX36, 15ns, PQFP208, PLASTIC, QFP-208
IDT70V7589S133DRI8	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 64KX36, 15ns, PQFP208, PLASTIC, QFP-208
IDT70V7589S166BCG	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 64KX36, 12ns, PBGA256, BGA-256

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