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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | TFBGA, BGA208,17X17,50 | 针数： | 208 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.17 |
| 最长访问时间： | 6 ns | 最大时钟频率 (fCLK)： | 83 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | S-PBGA-B208 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 15 mm |
| 内存密度： | 1179648 bit | 内存集成电路类型： | DUAL-PORT SRAM |
| 内存宽度： | 36 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 2 |
| 端子数量： | 208 | 字数： | 32768 words |
| 字数代码： | 32000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 32KX36 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TFBGA |
| 封装等效代码： | BGA208,17X17,50 | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 | 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 最小待机电流： | 3.15 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.36 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.45 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3.15 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn63Pb37) |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 |
| 宽度： | 15 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IDT70V3579S6BCI | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 32K x 36 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTE |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT70V3579S6DR | IDT |
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| IDT70V3579S6DR9 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 32KX36, 6ns, PQFP208, PLASTIC, QFP-208 |
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| IDT70V3579S6DRG | IDT |
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Dual-Port SRAM, 32KX36, 6ns, CMOS, PQFP208, 28 X 28 MM, 3.50 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, MO |
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| IDT70V3579S6DRI | IDT |
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| IDT70V3589S | IDT |
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| IDT70V3589S133BC8 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 64KX36, 15ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, BGA-2 |
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| IDT70V3589S133BCGI | IDT |
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Dual-Port SRAM, 64KX36, 15ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, GREEN |
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| IDT70V3589S133BCI | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 128/64K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE |
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