5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | PGA |
| 包装说明： | PGA, PGA84M,11X11 | 针数： | 84 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.48 |
| 最长访问时间： | 25 ns | 其他特性： | SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | S-CPGA-P84 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 30.6705 mm |
| 内存密度： | 262144 bit | 内存集成电路类型： | DUAL-PORT SRAM |
| 内存宽度： | 16 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 2 | 端子数量： | 84 |
| 字数： | 16384 words | 字数代码： | 16000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 16KX16 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | YES |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码： | PGA |
| 封装等效代码： | PGA84M,11X11 | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | GRID ARRAY | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 | 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 5.207 mm |
| 最大待机电流： | 0.006 A | 最小待机电流： | 3 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.17 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | PERPENDICULAR |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 宽度： | 30.6705 mm |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT70V26S25GGI | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 16KX16, 25ns, CMOS, CPGA84 |
|
| IDT70V26S25GI | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
|
| IDT70V26S25J | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
|
| IDT70V26S25JG8 | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 16KX16, 25ns, CMOS, PQCC84, PLASTIC, LCC-84 |
|
| IDT70V26S25JGI | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 16KX16, 25ns, CMOS, PQCC84 |
|
| IDT70V26S25JI | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
|
| IDT70V26S35G | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
|
| IDT70V26S35GI | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
|
| IDT70V26S35J | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
|
| IDT70V26S35J8 | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 16KX16, 35ns, CMOS, PQCC84, PLASTIC, LCC-84 |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
