是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | PGA |
包装说明: | CERAMIC, PGA-68 | 针数: | 68 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.41 |
最长访问时间: | 55 ns | 其他特性: | INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN |
JESD-30 代码: | S-CPGA-P68 | JESD-609代码: | e3 |
长度: | 29.464 mm | 内存密度: | 131072 bit |
内存集成电路类型: | DUAL-PORT SRAM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 2 |
端子数量: | 68 | 字数: | 16384 words |
字数代码: | 16000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 16KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | YES | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码: | PGA | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | GRID ARRAY | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 5.207 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | MATTE TIN |
端子形式: | PIN/PEG | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | PERPENDICULAR | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
宽度: | 29.464 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT70V06S55GGI | IDT |
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Dual-Port SRAM, 16KX8, 55ns, CMOS, CPGA68, CERAMIC, PGA-68 | |
IDT70V06S55GI | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT70V06S55J | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT70V06S55J8 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 16KX8, 55ns, CMOS, PQCC68, PLASTIC, LCC-68 | |
IDT70V06S55JI | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT70V06S55PF | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT70V06S55PF8 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 16KX8, 55ns, CMOS, PQFP64, TQFP-64 | |
IDT70V06S55PF9 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 16KX8, 55ns, CMOS, PQFP64, TQFP-64 | |
IDT70V06S55PFG | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 16KX8, 55ns, CMOS, PQFP64, TQFP-64 | |
IDT70V06S55PFGI | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 16KX8, 55ns, CMOS, PQFP64, TQFP-64 |