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IDT7052S25PQFGI

更新时间： 2024-01-12 10:31:14
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 112K
描述
Four-Port SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PQFP132, 0.950 X 0.950 INCH, 0.140 INCH HEIGHT, GREEN, PLASTIC, QFP-132

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IDT7052S25PQFGI 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：QFP
包装说明：0.950 X 0.950 INCH, 0.140 INCH HEIGHT, GREEN, PLASTIC, QFP-132针数：132
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.65
Is Samacsys：N最长访问时间：25 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：S-PQFP-G132
JESD-609代码：e3长度：24.13 mm
内存密度：16384 bit内存集成电路类型：FOUR-PORT SRAM
内存宽度：8功能数量：1
端口数量：4端子数量：132
字数：2048 words字数代码：2000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：2KX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：BQFP封装等效代码：SPQFP132,1.1SQ
封装形状：SQUARE封装形式：FLATPACK, BUMPER
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：4.572 mm最大待机电流：0.03 A
最小待机电流：4.5 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.36 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子节距：0.635 mm
端子位置：QUAD处于峰值回流温度下的最长时间：30
宽度：24.13 mmBase Number Matches：1

IDT7052S25PQFGI 数据手册

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IDT7052S/L  
High-Speed 2K x 8 FourPort™ Static RAM  
Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges  
PinConfigurations(1,2)  
AbsoluteMaximumRatings(1)  
Symbol  
Pin Name  
Symbol  
Rating  
Commercial  
& Industrial  
Military  
Unit  
A
0
P1 - A10 P1  
Address Lines - Port 1  
Address Lines - Port 2  
Address Lines - Port 3  
Address Lines - Port 4  
Data I/O - Port 1  
(2)  
V
TERM  
Terminal Voltage  
with Respect to  
GND  
-0.5 to +7.0  
-0.5 to +7.0  
V
A0  
P2 - A10P2  
P3 - A10 P3  
P4 - A10 P4  
A0  
Temperature  
Under Bias  
-55 to +125  
-65 to +150  
50  
-65 to +135  
-65 to +150  
50  
oC  
oC  
T
BIAS  
A0  
I/O  
I/O  
I/O  
0
P1 - I/O  
P2 - I/O  
P3 - I/O  
7
P1  
P2  
P3  
P4  
Storage  
Temperature  
TSTG  
0
7
Data I/O - Port 2  
mA  
IOUT  
DC Output Current  
0
7
Data I/O - Port 3  
2674 tbl 02  
I/O0  
P4 - I/O  
7
Data I/O - Port 4  
NOTES:  
1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may  
cause permanent damage to the device. This is a stress rating only and  
functional operation of the device at these or any other conditions above those  
indicated in the operational sections of this specification is not implied. Exposure  
to absolute maximum rating conditions for extended periods may affect  
reliability.  
R/W P1  
R/W P2  
R/W P3  
R/W P4  
GND  
Read/Write - Port 1  
Read/Write - Port 2  
Read/Write - Port 3  
Read/Write - Port 4  
Ground  
2. VTERM must not exceed Vcc + 10% for more than 25% of the cycle time or 10ns  
maximum, and is limited to < 20mA for the period of VTERM > VCC + 10%.  
CE P1  
Chip Enable - Port 1  
Chip Enable - Port 2  
Chip Enable - Port 3  
Chip Enable - Port 4  
Output Enable - Port 1  
Output Enable - Port 2  
Output Enable - Port 3  
Output Enable - Port 4  
Write Disable - Port 1  
Write Disable - Port 2  
Write Disable - Port 3  
Write Disable - Port 4  
Power  
CE P2  
MaximumOperating  
CE P3  
Temperature and Supply Voltage(1)  
CE P4  
Ambient  
OE P1  
Grade  
Temperature  
-55OC to+125OC  
0OC to +70OC  
-40OC to +85OC  
GND  
0V  
Vcc  
OE P2  
Military  
5.0V  
+
+
+
10%  
OE P3  
Commercial  
Industrial  
0V  
5.0V  
5.0V  
10%  
10%  
OE P4  
0V  
BUSY P1  
BUSY P2  
BUSY P3  
BUSY P4  
2674 tbl 04  
NOTES:  
1. This is the parameter TA. This is the "instant on" case temperature.  
VCC  
RecommendedDCOperating  
Conditions  
2674 tbl 01  
NOTES:  
1. All VCC pins must be connected to the power supply.  
2. All GND pins must be connected to the ground supply  
Symbol  
Parameter  
Supply Voltage  
GND Ground  
Min.  
Typ.  
Max. Unit  
VCC  
4.5  
5.0  
5.5  
0
V
V
V
Capacitance(1)  
0
0
V
IH  
Input High Voltage  
Input Low Voltage  
2.2  
6.0(2)  
0.8  
(TA = +25°C, f = 1.0MHz) TQFP only  
____  
-0.5(1)  
V
Symbol  
Parameter  
Input Capacitance  
Output Capacitance  
Conditions(2)  
IN = 0V  
OUT = 0V  
Max. Unit  
____  
VIL  
2674 tbl 05  
CIN  
V
9
pF  
NOTES:  
1. VIL > -1.5V for pulse width less than 10ns.  
2. VTERM must not exceed Vcc + 10%.  
COUT  
V
10  
pF  
2674 tbl 03  
NOTES:  
1. This parameter is determined by device characterization but is not  
production tested.  
2. 3dV references the interpolated capacitance when the input and  
the output signals switch from 0V to 3V or from 3V to 0V.  
4
6.42  
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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
IDT7052S25PQFGM IDT Application Specific SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PQFP132

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