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IDT7024L55JGB

更新时间： 2024-12-02 05:24:59
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
22页 180K
描述
Dual-Port SRAM, 4KX16, 55ns, CMOS, PQCC84, 1.150 X 1.150 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN, PLASTIC, LCC-84

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IDT7024L55JGB 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：LCC
包装说明：QCCJ, LDCC84,1.2SQ针数：84
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A001.A.2.C
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.05
最长访问时间：55 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：S-PQCC-J84JESD-609代码：e3
长度：29.3116 mm内存密度：65536 bit
内存集成电路类型：DUAL-PORT SRAM内存宽度：16
湿度敏感等级：3功能数量：1
端口数量：2端子数量：84
字数：4096 words字数代码：4000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C组织：4KX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：QCCJ封装等效代码：LDCC84,1.2SQ
封装形状：SQUARE封装形式：CHIP CARRIER
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：5 V认证状态：Not Qualified
筛选级别：MIL-PRF-38535 Class B座面最大高度：4.572 mm
最大待机电流：0.004 A最小待机电流：2 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.25 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：MILITARY
端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed端子形式：J BEND
端子节距：2.54 mm端子位置：QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：30宽度：29.3116 mm
Base Number Matches：1

IDT7024L55JGB 数据手册

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HIGH-SPEED  
IDT7024S/L  
4K x 16 DUAL-PORT  
STATIC RAM  
◆
IDT7024 easily expands data bus width to 32 bits or more  
using the Master/Slave select when cascading more than  
one device  
M/S = H for BUSY output flag on Master  
M/S = L for BUSY input on Slave  
Interrupt Flag  
On-chip port arbitration logic  
Full on-chip hardware support of semaphore signaling  
between ports  
Fully asynchronous operation from either port  
Battery backup operation—2V data retention  
TTL-compatible, single 5V (±10%) power supply  
Available in 84-pin PGA, Flatpack, PLCC, and 100-pin Thin  
Quad Flatpack  
Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available  
for selected speeds  
Green parts availble, see ordering information  
Features  
◆
True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous  
reads of the same memory location  
High-speed access  
◆
◆
– Military:20/25/35/55/70ns(max.)  
– Industrial:55ns (max.)  
◆
◆
◆
– Commercial:15/17/20/25/35/55ns(max.)  
Low-power operation  
◆
– IDT7024S  
◆
◆
◆
◆
Active:750mW(typ.)  
Standby: 5mW (typ.)  
– IDT7024L  
Active:750mW(typ.)  
Standby: 1mW (typ.)  
Separate upper-byte and lower-byte control for multiplexed  
◆
◆
◆
bus compatibility  
FunctionalBlockDiagram  
R/W  
L
R/W  
R
R
UB  
UBL  
LB  
CE  
OE  
L
L
L
LBR  
CE  
R
R
OE  
I/O8L-I/O15L  
I/O0L-I/O7L  
I/O8R-I/O15R  
I/O  
Control  
I/O  
Control  
I/O0R-I/O7R  
BUSY (1,2)  
L
BUSYR  
(1,2)  
A
11R  
0R  
A
11L  
Address  
Decoder  
MEMORY  
ARRAY  
Address  
Decoder  
A
0L  
A
12  
12  
ARBITRATION  
INTERRUPT  
SEMAPHORE  
LOGIC  
CE  
OE  
R/W  
R
CE  
OE  
R/W  
L
L
R
R
L
SEM  
R
SEM  
L
(2)  
INT (2)  
L
M/S  
INTR  
2740 drw 01  
NOTES:  
1. (MASTER): BUSY is output; (SLAVE): BUSY is input.  
2. BUSY outputs and INT outputs are non-tri-stated push-pull.  
OCTOBER 2008  
1
DSC 2740/13  
©2008IntegratedDeviceTechnology,Inc.  
1234567...22

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与IDT7024L55JGB相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IDT7024L55JGI IDT

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 		Dual-Port SRAM, 4KX16, 55ns, CMOS, PQCC84, 1.150 X 1.150 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN, P
IDT7024L55PF IDT

获取价格

 		HIGH-SPEED 4K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT7024L55PF8 IDT

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 		Dual-Port SRAM, 4KX16, 55ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100
IDT7024L55PF9 IDT

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 		Dual-Port SRAM, 4KX16, 55ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100
IDT7024L55PFB IDT

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 		HIGH-SPEED 4K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT7024L55PFGI IDT

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 		Dual-Port SRAM, 4KX16, 55ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-100
IDT7024L55PG IDT

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 		Multi-Port SRAM, 4KX16, 55ns, CMOS, PPGA84, PLASTIC, PGA-84
IDT7024L70F IDT

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IDT7024L70FB IDT

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 		HIGH-SPEED 4K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT7024L70FGB IDT

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 		Dual-Port SRAM, 4KX16, 70ns, CMOS, 1.170 X 1.170 INCH, 0.110 INCH HEIGHT, GREEN, QFP-84

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