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IDT7024L45FB

更新时间: 2024-12-01 20:32:15
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
20页 717K
描述
Multi-Port SRAM, 4KX16, 45ns, CMOS, CQFP84, CAVITY-UP, QFP-84

IDT7024L45FB 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:QFP
包装说明:QFF, QFL84,1.2SQ针数:84
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.63
Is Samacsys:N最长访问时间:45 ns
其他特性:INTERRUPT FLAG; ARBITER; SEMAPHOREI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:S-CQFP-F84JESD-609代码:e0
长度:29.21 mm内存密度:65536 bit
内存集成电路类型:MULTI-PORT SRAM内存宽度:16
功能数量:1端口数量:2
端子数量:84字数:4096 words
字数代码:4000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:4KX16输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码:QFF封装等效代码:QFL84,1.2SQ
封装形状:SQUARE封装形式:FLATPACK
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):225
电源:5 V认证状态:Not Qualified
筛选级别:38535Q/M;38534H;883B座面最大高度:3.556 mm
最大待机电流:0.004 A最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.34 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:FLAT
端子节距:1.27 mm端子位置:QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间:30宽度:29.21 mm
Base Number Matches:1

IDT7024L45FB 数据手册

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