Datasheet > IDT7024L30G

IDT7024L30G

更新时间： 2024-11-30 20:35:19

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
21页	722K
描述
Multi-Port SRAM, 4KX16, 30ns, CMOS, CPGA84, CAVITY-DOWN, CERAMIC, PGA-84

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IDT7024L30G 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	PGA
包装说明：	CAVITY-DOWN, CERAMIC, PGA-84	针数：	84
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.66
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	30 ns
其他特性：	INTERRUPT FLAG; AUTOMATIC POWER-DOWN; SEMAPHORE	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	S-CPGA-P84	JESD-609代码：	e0
内存密度：	65536 bit	内存集成电路类型：	MULTI-PORT SRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	2	端子数量：	84
字数：	4096 words	字数代码：	4000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	4KX16
输出特性：	3-STATE	可输出：	YES
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	PGA
封装等效代码：	PGA84M,11X11	封装形状：	SQUARE
封装形式：	GRID ARRAY	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	最大待机电流：	0.0015 A
最小待机电流：	2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.3 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	PIN/PEG	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	PERPENDICULAR	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...21

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT7024L30J	ETC	获取价格	x16 Dual-Port SRAM
IDT7024L30J8	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 4KX16, 30ns, CMOS, PQCC84, PLASTIC, LCC-84
IDT7024L30JG8	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 4KX16, 30ns, CMOS, PQCC84, PLASTIC, LCC-84
IDT7024L30PG	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 4KX16, 30ns, CMOS, PPGA84, PLASTIC, PGA-84
IDT7024L35F	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 4K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT7024L35FB	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 4K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT7024L35FG	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 4KX16, 35ns, CMOS, 1.170 X 1.170 INCH, 0.110 INCH HEIGHT, GREEN, QFP-84
IDT7024L35FGB	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 4KX16, 35ns, CMOS, 1.170 X 1.170 INCH, 0.110 INCH HEIGHT, GREEN, QFP-84
IDT7024L35G	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 4K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT7024L35GB	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 4K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM