Datasheet > IDT7006S55JGI

IDT7006S55JGI

更新时间： 2024-11-06 21:22:11

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
20页	170K
描述
Dual-Port SRAM, 16KX8, 55ns, CMOS, PQCC68, 0.950 X 0.950 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN, PLASTIC, PLCC-68

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IDT7006S55JGI 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	LCC
包装说明：	QCCJ,	针数：	68
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.22
最长访问时间：	55 ns	JESD-30 代码：	S-PQCC-J68
JESD-609代码：	e3	长度：	24.2062 mm
内存密度：	131072 bit	内存集成电路类型：	DUAL-PORT SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	68	字数：	16384 words
字数代码：	16000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	16KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	QCCJ	封装形状：	SQUARE
封装形式：	CHIP CARRIER	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	4.572 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	24.2062 mm	Base Number Matches：	1

IDT7006S55JGI 数据手册

HIGH-SPEED

IDT7006S/L

16K x 8 DUAL-PORT

STATIC RAM

◆

M/S = H for BUSY output flag on Master,

M/S = L for BUSY input on Slave

Busy and Interrupt Flags

On-chip port arbitration logic

Full on-chip hardware support of semaphore signaling

between ports

Fully asynchronous operation from either port

Devices are capable of withstanding greater than 2001V

electrostatic discharge

Battery backup operation—2V data retention

TTL-compatible, single 5V (±10%) power supply

Available in 68-pin PGA, quad flatpack, PLCC, and a 64-pin

TQFP

Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available

for selected speed

Green parts available, see ordering information

Features

◆

True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous

◆

reads of the same memory location

High-speed access

◆

– Military:20/25/35/55/70ns(max.)

– Industrial:55ns (max.)

◆

– Commercial:15/17/20/25/35/55ns(max.)

Low-power operation

◆

– IDT7006S

◆

Active:750mW(typ.)

Standby: 5mW (typ.)

– IDT7006L

Active:700mW(typ.)

Standby: 1mW (typ.)

IDT7006 easily expands data bus width to 16 bits or more

◆

using the Master/Slave select when cascading more than

one device

FunctionalBlockDiagram

OEL

R/W

I/O0L- I/O7L

I/O0R-I/O7R

I/O

Control

BUSY ^(1,2)

(1,2)

BUSY

13L

13R

Address

Decoder

MEMORY

ARRAY

Address

Decoder

ARBITRATION

INTERRUPT

SEMAPHORE

LOGIC

R/W

SEM

SEM ₍₂₎

M/S

(2)

INT

INTR

2739 drw 01

NOTES:

1. (MASTER): BUSY is output; (SLAVE): BUSY is input.

2. BUSY outputs and INT outputs are non-tri-stated push-pull.

JANUARY 2006

DSC 2739/15

12 3 4 5 6 7...20

中文翻译

下载PDF

与IDT7006S55JGI相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT7006S55JI	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 16KX8, 55ns, CMOS, PQCC68, 0.950 X 0.950 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC,
IDT7006S55L68	ETC	获取价格	x8 Dual-Port SRAM
IDT7006S55L68B	ETC	获取价格	x8 Dual-Port SRAM
IDT7006S55PF	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT7006S55PF8	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 16KX8, 55ns, CMOS, PQFP64, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-64
IDT7006S55PF9	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 16KX8, 55ns, CMOS, PQFP64, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-64
IDT7006S55PFB	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT7006S55PFGI	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 16KX8, 55ns, CMOS, PQFP64, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-64
IDT7006S55PFGI8	IDT	获取价格	Application Specific SRAM, 16KX8, 55ns, CMOS, PQFP64
IDT7006S55PFI	ETC	获取价格	x8 Dual-Port SRAM

与IDT7006S55JGI相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

14
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

12
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

36
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

33

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IDT7006S55JGI

IDT7006S55JGI 技术参数

IDT7006S55JGI 数据手册

与IDT7006S55JGI相关器件

与IDT7006S55JGI相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IDT7006S55JGI

IDT7006S55JGI 技术参数

IDT7006S55JGI 数据手册

与IDT7006S55JGI相关器件

与IDT7006S55JGI相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？