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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-24 | 针数： | 24 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.88 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 10 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDIP-T24 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 31.6865 mm |
| 内存密度： | 65536 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 4 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 24 |
| 字数： | 16384 words | 字数代码： | 16000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 16KX4 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | YES |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP24,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 4.191 mm |
| 最大待机电流： | 0.18 A | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.18 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | BICMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn85Pb15) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 7.62 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT61B98S10Y | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 16KX4, 10ns, BICMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24 |
|
| IDT61B98S10Y8 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 16KX4, 10ns, BICMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24 |
|
| IDT61B98S12TD | ETC |
获取价格 |
x4 SRAM |
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| IDT61B98S12TDB | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 16KX4, 12ns, BICMOS, CDIP24, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-24 |
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| IDT61B98S12TP | ETC |
获取价格 |
x4 SRAM |
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| IDT61B98S12Y | ETC |
获取价格 |
x4 SRAM |
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| IDT61B98S12Y8 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 16KX4, 12ns, BICMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24 |
|
| IDT61B98S15TDB | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 16KX4, 15ns, BICMOS, CDIP24, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-24 |
|
| IDT61B98S8TD | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 16KX4, 8ns, BICMOS, CDIP24, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-24 |
|
| IDT61B98S8TP | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 16KX4, 8ns, BICMOS, PDIP24, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-24 |
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