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IDT6116SA35YGI

更新时间： 2024-01-25 10:47:02
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 存储内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
10页 95K
描述
Standard SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24

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IDT6116SA35YGI 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOJ包装说明：0.300 INCH, SOJ-24
针数：24Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.71最长访问时间：35 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-J24
JESD-609代码：e0长度：15.88 mm
内存密度：16384 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：8湿度敏感等级：3
功能数量：1端子数量：24
字数：2048 words字数代码：2000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：2KX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOJ封装等效代码：SOJ24,.34
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：225
电源：5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：3.76 mm最大待机电流：0.002 A
最小待机电流：4.5 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.1 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式：J BEND端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
宽度：7.62 mmBase Number Matches：1

IDT6116SA35YGI 数据手册

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IDT6116SA/LA  
CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8-BIT)  
MILITARY AND COMMERCIAL TEMPERATURE RANGES  
RECOMMENDED DC  
OPERATING CONDITIONS  
RECOMMENDED OPERATING  
TEMPERATURE AND SUPPLY VOLTAGE  
Ambient  
Symbol  
Parameter  
Min.  
Typ.  
5.0  
0
Max. Unit  
Grade  
Military  
Commercial  
Temperature  
–55°C to +125°C  
0°C to +70°C  
GND  
VCC  
VCC  
Supply Voltage  
Supply Ground  
Input High Voltage  
Input Low Voltage  
4.5  
5.5(2)  
V
V
V
0V  
5.0V ± 10%  
5.0V ± 10%  
GND  
VIH  
0
0
0V  
2.2  
–0.5(1)  
3.5 VCC +0.5  
0.8  
3089 tbl 05  
VIL  
—
V
NOTES:  
3089 tbl 06  
1. VIL (min.) = –3.0V for pulse width less than 20ns, once per cycle.  
2. VIN must not exceed VCC +0.5V.  
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
VCC = 5.0V ± 10%  
IDT6116SA  
IDT6116LA  
Min. Max.  
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min.  
Max.  
10  
5
Unit  
MIL.  
COM'L.  
MIL.  
—
—
—
—
—
2.4  
—
—
—
—
—
2.4  
5
2
|ILI|  
Input Leakage Current  
VCC = Max., VIN = GND to VCC  
VCC = Max.  
µA  
10  
5
5
|ILO|  
VOL  
VOH  
Output Leakage Current  
Output Low Voltage  
Output High Voltage  
CS = VIH, VOUT = GND to VCC  
IOL = 8mA, VCC = Min.  
IOH = –4mA, VCC = Min.  
COM'L.  
2
µA  
0.4  
—
0.4  
—
V
V
3089 tbl 07  
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (1)  
VCC = 5.0V ± 10%, VLC = 0.2V, VHC = VCC - 0.2V  
6116SA15(2)  
6116LA15(2)  
Power Com'l. Mil.  
6116SA20  
6116LA20  
Com'l. Mil.  
6116SA25  
6116LA25  
6116SA35  
6116LA35  
Symbol  
Parameter  
Com'l.  
Mil.  
Com'l.  
Mil.  
Unit  
ICC1  
Operating Power Supply  
Current, CS ≤ VIL,  
Outputs Open,  
SA  
105  
—
105  
130  
80  
90  
80  
90  
mA  
LA  
95  
—
95  
120  
75  
85  
75  
85  
VCC = Max., f = 0  
ICC2  
ISB  
Dynamic Operating  
Current, CS ≤ VIL,  
VCC = Max.,  
SA  
LA  
150  
140  
—
—
130  
120  
150  
140  
120  
110  
135  
125  
100  
95  
115  
105  
mA  
mA  
mA  
(4)  
Outputs Open, f = fMAX  
Standby Power Supply  
Current (TTL Level)  
CS ≥ VIH, VCC = Max.,  
SA  
LA  
40  
35  
—
—
40  
35  
50  
45  
40  
35  
45  
40  
25  
25  
35  
30  
(4)  
Outputs Open, f = fMAX  
ISB1  
Full Standby Power  
Supply Current  
(CMOS Level), CS ≥ VHC, LA  
VCC = Max., VIN ≥ VHC  
or VIN ≤ VLC, f = 0  
SA  
2
—
—
2
10  
2
10  
2
10  
0.1  
0.1  
0.9  
0.1  
0.9  
0.1  
0.9  
NOTES:  
3089 tbl 08  
1. All values are maximum guaranteed values.  
2. 0°C to + 70°C temperature range only.  
3. –55°C to + 125°C temperature range only.  
4. fMAX = 1/tRC, only address inputs are cycling at fMAX, f = 0 means address inputs are not changing.  
5.1  
3
1234567...10

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
IDT6116SA35YGI8 IDT Standard SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24

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