是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SOIC |
包装说明: | SOP, SOP24,.4 | 针数: | 24 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.41 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 45 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDSO-G24 |
JESD-609代码: | e3 | 长度: | 15.4 mm |
内存密度: | 16384 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 湿度敏感等级: | 1 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 24 |
字数: | 2048 words | 字数代码: | 2000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 2KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOP | 封装等效代码: | SOP24,.4 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 2.65 mm | 最大待机电流: | 0.002 A |
最小待机电流: | 4.5 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.1 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | MATTE TIN |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
宽度: | 7.5 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT6116SA45SOI | IDT |
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CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) | |
IDT6116SA45SOI8 | IDT |
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Standard SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOIC-24 | |
IDT6116SA45SO-TR | IDT |
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Standard SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, PDSO24 | |
IDT6116SA45TD | IDT |
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CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) | |
IDT6116SA45TDB | IDT |
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CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) | |
IDT6116SA45TP | IDT |
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CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) | |
IDT6116SA45TPB | IDT |
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CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) | |
IDT6116SA45TPG | IDT |
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暂无描述 | |
IDT6116SA45TPGI | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, PDIP24, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-24 | |
IDT6116SA45TPI | IDT |
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CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) |