是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | SOJ | 包装说明: | 0.300 INCH, SOJ-24 |
针数: | 24 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.82 | 最长访问时间: | 45 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDSO-J24 |
JESD-609代码: | e3 | 长度: | 15.88 mm |
内存密度: | 16384 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 24 |
字数: | 2048 words | 字数代码: | 2000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 2KX8 | |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | YES |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOJ |
封装等效代码: | SOJ24,.34 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 3.76 mm |
最大待机电流: | 0.002 A | 最小待机电流: | 4.5 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.1 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | MATTE TIN | 端子形式: | J BEND |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 宽度: | 7.62 mm |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT6116SA45YI | IDT |
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CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) | |
IDT6116SA45YI8 | IDT |
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Standard SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24 | |
IDT6116SA55D | IDT |
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CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) | |
IDT6116SA55DB | IDT |
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CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) | |
IDT6116SA55DGB | IDT |
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Standard SRAM, 2KX8, 55ns, CMOS, CDIP24, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-24 | |
IDT6116SA55DI | IDT |
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Standard SRAM, 2KX8, 55ns, CMOS, CDIP24 | |
IDT6116SA55FB | IDT |
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Standard SRAM, 2KX8, 55ns, CMOS, CDFP24, FP-24 | |
IDT6116SA55L24B | IDT |
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Standard SRAM, 2KX8, 55ns, CMOS, CQCC24, LCC-24 | |
IDT6116SA55L28 | IDT |
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Standard SRAM, 2KX8, 55ns, CMOS, CQCC28 | |
IDT6116SA55L28BG8 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 55ns, CMOS, CQCC28, LCC-28 |