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IDT6116LA90L32B

更新时间： 2024-11-24 14:51:23

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
10页	95K
描述
Standard SRAM, 2KX8, 90ns, CMOS, CQCC32, LCC-32

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IDT6116LA90L32B 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QFJ
包装说明：	LCC-32	针数：	32
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.49
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	90 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-CQCC-N32
JESD-609代码：	e0	长度：	13.97 mm
内存密度：	16384 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	32
字数：	2048 words	字数代码：	2000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	2KX8
输出特性：	3-STATE	可输出：	YES
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	QCCN
封装等效代码：	LCC32,.45X.55	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	225	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度：	3.048 mm	最大待机电流：	0.0002 A
最小待机电流：	2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.085 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	11.43 mm	Base Number Matches：	1

IDT6116LA90L32B 数据手册

IDT6116SA

IDT6116LA

CMOS STATIC RAM

16K (2K x 8 BIT)

Integrated Device Technology, Inc.

FEATURES:

DESCRIPTION:

• High-speed access and chip select times

— Military: 20/25/35/45/55/70/90/120/150ns (max.)

— Commercial: 15/20/25/35/45ns (max.)

• Low-power consumption

The IDT6116SA/LA is a 16,384-bit high-speed static RAM

organized as 2K x 8. It is fabricated using IDT's high-perfor-

mance, high-reliability CMOS technology.

Access times as fast as 15ns are available. The circuit also

offers a reduced power standby mode. When CSgoes HIGH,

the circuit will automatically go to, and remain in, a standby

power mode, as long as CS remains HIGH. This capability

provides significant system level power and cooling savings.

The low-power (LA) version also offers a battery backup data

retention capability where the circuit typically consumes only

1µW to 4µW operating off a 2V battery.

• Battery backup operation

— 2V data retention voltage (LA version only)

• Produced with advanced CMOS high-performance

technology

• CMOS process virtually eliminates alpha particle

soft-error rates

• Input and output directly TTL-compatible

• Static operation: no clocks or refresh required

• Available in standard 24-pin DIP, 24-pin Thin Dip and

All inputs and outputs of the IDT6116SA/LA are TTL-

compatible. Fullystaticasynchronouscircuitryisused, requir-

Plastic DIP, 28- and 32-pin LCC, 24-pin SOIC, 24-lead ing no clocks or refreshing for operation.

CERPACK and 24-pin SOJ

The IDT6116SA/LA is packaged in 24-pin 600 and 300 mil

• Military product compliant to MIL-STD-833, Class B

plastic or ceramic DIP, 28- and 32-pin leadless chip carriers,

24-lead CERPACK, and a 24-lead gull-wing SOIC, providing

high board-level packing densities.

Militarygradeproductismanufacturedincompliancetothe

latest version of MIL-STD-883, Class B, making it ideally

suited to military temperature applications demanding the

highest level of performance and reliability.

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

A ₀

VCC

128 X 128

ADDRESS

DECODER

MEMORY

GND

ARRAY

A ₁₀

I/O 0

I/O CONTROL

INPUT

DATA

CIRCUIT

I/O₇

CONTROL

CIRCUIT

3089 drw 01

The IDT logo is aregistered trademark of Integrated Device Technology, Inc.

MILITARY AND COMMERCIAL TEMPERATURE RANGES

MAY 1994

1994 Integrated Device Technology, Inc.

DSC-1120/-

5.4

12 3 4 5 6 7...10

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与IDT6116LA90L32B相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT6116LA90L32B8	IDT	获取价格	Standard SRAM, 2KX8, 90ns, CMOS, CQCC32, LCC-32
IDT6116LA90P	IDT	获取价格	CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT)
IDT6116LA90PB	IDT	获取价格	CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT)
IDT6116LA90SO	IDT	获取价格	CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT)
IDT6116LA90SOB	IDT	获取价格	CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT)
IDT6116LA90TD	IDT	获取价格	CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT)
IDT6116LA90TDB	IDT	获取价格	CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT)
IDT6116LA90TP	IDT	获取价格	CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT)
IDT6116LA90TPB	IDT	获取价格	CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT)
IDT6116LA90Y	IDT	获取价格	CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT)

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