5秒后页面跳转
IDT6116S120L32 PDF预览

IDT6116S120L32

更新时间: 2023-02-26 15:23:30
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 800K
描述
Standard SRAM, 2KX8, 120ns, CMOS, CQCC32

IDT6116S120L32 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.92
最长访问时间:120 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XQCC-N32JESD-609代码:e0
内存密度:16384 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8端子数量:32
字数:2048 words字数代码:2000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:2KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:CERAMIC
封装代码:QCCN封装等效代码:LCC32,.45X.55
封装形状:RECTANGULAR封装形式:CHIP CARRIER
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.0004 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.08 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:NO LEAD端子节距:1.27 mm
端子位置:QUADBase Number Matches:1

IDT6116S120L32 数据手册

 浏览型号IDT6116S120L32的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IDT6116S120L32的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IDT6116S120L32的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IDT6116S120L32的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IDT6116S120L32的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IDT6116S120L32的Datasheet PDF文件第7页 

与IDT6116S120L32相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IDT6116S120TB IDT

获取价格

Standard SRAM, 2KX8, 120ns, CMOS, CDIP24
IDT6116S120TC IDT

获取价格

Standard SRAM, 2KX8, 120ns, CMOS, CDIP24
IDT6116S120TI IDT

获取价格

Standard SRAM, 2KX8, 120ns, CMOS, CDIP24
IDT6116S150D IDT

获取价格

Standard SRAM, 2KX8, 150ns, CMOS, CDIP24
IDT6116S150DB IDT

获取价格

Standard SRAM, 2KX8, 150ns, CMOS, CDIP24
IDT6116S150DC IDT

获取价格

Standard SRAM, 2KX8, 150ns, CMOS, CDIP24
IDT6116S150DI IDT

获取价格

Standard SRAM, 2KX8, 150ns, CMOS, CDIP24
IDT6116S150L28 IDT

获取价格

Standard SRAM, 2KX8, 150ns, CMOS, CQCC28
IDT6116S150L28B IDT

获取价格

Standard SRAM, 2KX8, 150ns, CMOS, CQCC28
IDT6116S150L28I IDT

获取价格

Standard SRAM, 2KX8, 150ns, CMOS, CQCC28