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IDT6116SA120FB

更新时间: 2024-11-27 15:34:39
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 275K
描述
Standard SRAM, 2KX8, 120ns, CMOS, CDFP24, FP-24

IDT6116SA120FB 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DFP
包装说明:FP-24针数:24
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.71
最长访问时间:120 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-CDFP-F24JESD-609代码:e0
内存密度:16384 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:24
字数:2048 words字数代码:2000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:2KX8
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码:DFP
封装等效代码:FL24,.4封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLATPACK并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
认证状态:Not Qualified筛选级别:38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度:2.286 mm最大待机电流:0.01 A
最小待机电流:4.5 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.1 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:FLAT端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:9.9 mmBase Number Matches:1

IDT6116SA120FB 数据手册

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