是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DFP |
包装说明: | FP-24 | 针数: | 24 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.71 |
最长访问时间: | 120 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-CDFP-F24 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 16384 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 24 |
字数: | 2048 words | 字数代码: | 2000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 2KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | YES |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码: | DFP |
封装等效代码: | FL24,.4 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLATPACK | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 筛选级别: | 38535Q/M;38534H;883B |
座面最大高度: | 2.286 mm | 最大待机电流: | 0.01 A |
最小待机电流: | 4.5 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.1 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | FLAT | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 9.9 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT6116SA120L24B | IDT |
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Standard SRAM, 2KX8, 120ns, CMOS, CQCC24, LCC-24 | |
IDT6116SA120L32B8 | IDT |
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Standard SRAM, 2KX8, 120ns, CMOS, CQCC32, LCC-32 | |
IDT6116SA120P | IDT |
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CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) | |
IDT6116SA120PB | IDT |
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CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) | |
IDT6116SA120SO | IDT |
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CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) | |
IDT6116SA120SOB | IDT |
获取价格 |
CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) | |
IDT6116SA120TD | IDT |
获取价格 |
CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) | |
IDT6116SA120TDB | IDT |
获取价格 |
CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) | |
IDT6116SA120TP | IDT |
获取价格 |
CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) | |
IDT6116SA120TPB | IDT |
获取价格 |
CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) |