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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT6116S90L28 | IDT |
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Standard SRAM, 2KX8, 90ns, CMOS, CQCC28 |
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| IDT6116S90L28C | IDT |
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Standard SRAM, 2KX8, 90ns, CMOS, CQCC28 |
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| IDT6116S90L32C | IDT |
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Standard SRAM, 2KX8, 90ns, CMOS, CQCC32 |
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| IDT6116SA | IDT |
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CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) |
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| IDT6116SA120D | IDT |
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CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) |
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| IDT6116SA120DB | IDT |
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CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) |
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| IDT6116SA120DGB | IDT |
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暂无描述 |
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| IDT6116SA120DI | IDT |
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Standard SRAM, 2KX8, 120ns, CMOS, CDIP24 |
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| IDT6116SA120DM | IDT |
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Standard SRAM, 2KX8, 120ns, CMOS, CDIP24 |
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| IDT6116SA120EB | ETC |
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x8 SRAM |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
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