5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 5.85 |
| 最长访问时间： | 150 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-XDIP-T24 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 16384 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 端子数量： | 24 |
| 字数： | 2048 words | 字数代码： | 2000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 2KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | CERAMIC |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP24,.6 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 筛选级别： | 38535Q/M;38534H;883B |
| 最大待机电流： | 0.0002 A | 最小待机电流： | 2 V |
| 子类别： | SRAMs | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT6116LA150EB | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 150ns, CMOS, CDFP24, 0.300 INCH, CERPACK-24 |
|
| IDT6116LA150L24B | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| IDT6116LA150L28B8 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 150ns, CMOS, CQCC28, LCC-28 |
|
| IDT6116LA150L28BG8 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 150ns, CMOS, CQCC28, LCC-28 |
|
| IDT6116LA150L32B | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 150ns, CMOS, CQCC32, LCC-32 |
|
| IDT6116LA150L32B8 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 150ns, CMOS, CQCC32, LCC-32 |
|
| IDT6116LA150L32BG8 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 150ns, CMOS, CQCC32, LCC-32 |
|
| IDT6116LA150P | IDT |
获取价格 |
CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) |
|
| IDT6116LA150PB | IDT |
获取价格 |
CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) |
|
| IDT6116LA150SO | IDT |
获取价格 |
CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) |
|
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
AMD宣布全球裁员约1000人，调整战略聚焦增长
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
