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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DIP, DIP24,.3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | HTS代码： | 8542.39.00.01 |
| 风险等级： | 5.92 | 控制类型： | ENABLE LOW |
| JESD-30 代码： | R-XDIP-T24 | JESD-609代码： | e0 |
| 负载电容（CL）： | 50 pF | 逻辑集成电路类型： | BUS DRIVER |
| 最大I（ol）： | 0.032 A | 位数： | 10 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 24 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 输出特性： | 3-STATE | 输出极性： | TRUE |
| 封装主体材料： | CERAMIC | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP24,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 |
| 电源： | 5 V | Prop。Delay @ Nom-Sup： | 5 ns |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Bus Driver/Transceivers |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT54FCT827CDB | IDT |
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HIGH-PERFORMANCE CMOS BUFFERS |
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| IDT54FCT827CE | IDT |
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HIGH-PERFORMANCE CMOS BUFFERS |
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| IDT54FCT827CEB | IDT |
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HIGH-PERFORMANCE CMOS BUFFERS |
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| IDT54FCT827CL | IDT |
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HIGH-PERFORMANCE CMOS BUFFERS |
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| IDT54FCT827CLB | IDT |
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HIGH-PERFORMANCE CMOS BUFFERS |
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| IDT54FCT827CP | IDT |
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HIGH-PERFORMANCE CMOS BUFFERS |
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| IDT54FCT827CPB | IDT |
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HIGH-PERFORMANCE CMOS BUFFERS |
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| IDT54FCT827CSO | IDT |
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HIGH-PERFORMANCE CMOS BUFFERS |
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| IDT54FCT827CSOB | IDT |
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HIGH-PERFORMANCE CMOS BUFFERS |
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| IDT54FCT827CT | IDT |
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FAST CMOS 10-BIT BUFFERS |
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