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IDT10494S10CB

更新时间: 2024-01-03 04:33:38
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艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 728K
描述
Standard SRAM, 16KX4, 10ns, CDIP28

IDT10494S10CB 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:not_compliant
风险等级:5.88最长访问时间:10 ns
I/O 类型:SEPARATEJESD-30 代码:R-XDIP-T28
JESD-609代码:e0内存密度:65536 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:4
负电源额定电压:-5.2 V端子数量:28
字数:16384 words字数代码:16000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:16KX4
输出特性:OPEN-EMITTER封装主体材料:CERAMIC
封装代码:DIP封装等效代码:DIP28,.4
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):260
电源:-5.2 V认证状态:Not Qualified
筛选级别:38535Q/M;38534H;883B子类别:SRAMs
最大压摆率:0.19 mA表面贴装:NO
温度等级:MILITARY端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:6
Base Number Matches:1

IDT10494S10CB 数据手册

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