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IDT10494S4.5Y

更新时间: 2024-09-26 19:42:55
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艾迪悌 - IDT 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 728K
描述
Standard SRAM, 16KX4, 4.5ns, PDSO28

IDT10494S4.5Y 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:not_compliant
风险等级:5.92Is Samacsys:N
最长访问时间:4.5 nsI/O 类型:SEPARATE
JESD-30 代码:R-PDSO-J28JESD-609代码:e0
内存密度:65536 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:4湿度敏感等级:3
负电源额定电压:-5.2 V端子数量:28
字数:16384 words字数代码:16000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:16KX4
输出特性:OPEN-EMITTER封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOJ封装等效代码:SOJ28,.34
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):225
电源:-5.2 V认证状态:Not Qualified
子类别:SRAMs表面贴装:YES
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
Base Number Matches:1

IDT10494S4.5Y 数据手册

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